بحثت دراسة علمية في كلية العلوم بجامعة البصرة اعدها الباحث واثق فاهم شنين والدكتور صباح مهدي امين المدى الطويل للبلازمون الهجين بوجود طبقة تدريج فعالة InGaAsPعلى ركيزة منInP
وبينت الدراسة التي تم نشرها في مجلة Advanced Engineering Science المصنفة ضمن مستوعبات سكوبس Q3 رقم التصنيف ISSN: 2096-3246
وتضمنت الدراسة زيادة طول الانتشار لدليل البلازمون الهجين باستخدام تركيب طبقة تدريج فعالة InGaAsPعلى ركيزة منInP.
وتوصلت نتائج الدراسة الى أن استخدام التدرج في معامل الانكسار الطبقة الفعالة ، يمكن تحسين الحصر الكمي و طول الانتشار مقارنة بمعاملات الانكسار التقليدية. يتم تحقيق طول انتشار مضاعف يبلغum 40 مع عزل أفضل مقارنة بالطرق الهجينة التقليدية.