The confined carrier Level Occupies in QD, Carrier density in OCL and Threshold current Density Semiconductor of GaInAsP/InP QDL system

العنوان The confined carrier Level Occupies in QD, Carrier density in OCL and Threshold current Density Semiconductor of GaInAsP/InP QDL system
السنة 2017
اسم المجلة J. Basrah Researches ((Sciences))
نوع المنشور بحث مجلة
رابط البحث في المجلة https://www.researchgate.net/publication/309566344_Effect_of_Surface_Density_and_Mean_Size_of_Quantum_Dot_on_Properties_of_GaInAsPInP_QDL_System
الملف (في حالة البحث open access( papers/10951.pdf
التدريسي رائد محمد حسن علي البربوري
البريد الالكتروني raed.hussan@uobasrah.edu.iq