Electronic structure and optical properties of In2X2O7 (X=Si, Ge, Sn) from direct to indirect gap: An ab initio study

العنوان Electronic structure and optical properties of In2X2O7 (X=Si, Ge, Sn) from direct to indirect gap: An ab initio study
السنة 2013
اسم المجلة A. H. Reshak, Saleem Ayaz Khan, Computational Materials Science 71, 91-97 (2013)
نوع المنشور بحث مجلة
بحث عالمي؟ 1
هل البحث ضمن مستوعب كلارفيت 1
هل البحث ضمن مستوعب سكوبس 1
التدريسي علي حسين رشك . .
البريد الالكتروني reshak@uobasrah.edu.iq